本成果属于探测器技术领域，具体为一种二硫化钼基可见至近红外InGaAs探测器及其制备方法。本成果探测器结构包括：采用磷化铟作为衬底材料，在衬底上依次生长InP接触层、铟镓砷吸收层、氧化硅介质层；氧化硅介质层中央开方孔，在氧化硅介质层上转移二硫化钼层，二硫化钼层填充氧化硅介质层方孔，与所述铟镓砷吸收层形成肖特基接触，在二硫化钼层与氧化硅介质层接触区域上方生长上金属电极，在所述InP接触层一侧上生长下金属电极。本成果InGaAs探测器能够实现近红外到可见光范围的宽光谱探测。
该新型InGaAs探测器利用先进的二维二硫化钼材料与InGaAs体材料形成了肖特基光电二极管，实现了二维与三维材料的结合，并能实现光谱探测；
复旦大学
仇志军
