一种新型多功能传感器芯片及其制备方法

本发明提供一种新型多功能传感器芯片及其制备方法，包括硅基衬底，以及设于硅基衬底上的氧化硅绝缘层、温度传感器、C4D电导率传感器、BST薄膜保护层，其中：氧化硅绝缘层覆盖在硅基衬底上方，C4D电导率传感器的四个敏感电极被氧化硅绝缘层包围，温度传感器置于氧化硅绝缘层上方，BST薄膜保护层覆盖在温度传感器、C4D电导率传感器上表面并露出引线电极；当所述芯片置于被测溶液中时，由C4D测量原理，C4D电导率传感器输出被测溶液的阻抗图，将其与标准的阻抗谱比对后即得到相应电导率值；同时，温度传感器输出相应温度。本发明同时实现温度与电导率测量，具有结构简单、体积小、成本低、耐腐蚀、响应速度快、测量范围大、测量精度高的特点。