一种用于模拟非线性现象的忆阻器模型

本发明提供了一种用于模拟非线性现象的忆阻器模型，由VTEAM模型模块和窗函数模块构，所述窗函数模块包括用于控制幅度大小的j，和用于控制窗函数线性度的p，且j和p可以是任意正实数，可覆盖几乎整个矩形区域。本忆阻器模型可有效地模拟忆阻器非线性掺杂剂漂移现象，并且模型通过控制参数j和p来调节非线性度，可有效解决忆阻器窗函数模存在的边界效应、边界锁定、不灵活性和高复杂度问题。