基于钛酸锶全介质超材料的太赫兹波调制器及其制备方法

本发明涉及基于钛酸锶全介质超材料的太赫兹波调制器及其制备方法，太赫兹波调制器包括：聚合物柔性衬底层；掺杂半导体外延层：生长在聚合物柔性衬底层表面；生长在半导体硅外延层上的SiO2绝缘‑钛酸锶微结构复合层：其包括位于下方的SiO2绝缘层，以及生长在SiO2绝缘层上的钛酸锶微结构层。与现有技术相比，本发明的制得的调制器的品质因子高、可调性能好和调制深度大，且制备工艺相对简单，适合于规模化生产应用。