本发明涉及一种基于钛酸锶球壳结构的可调太赫兹波超材料吸收器,该吸收器包括:钛酸锶衬底层(1);背电极掺杂Si层(2),生长在钛酸锶衬底层(1)表面;石墨烯‑SiO2有源区,位于背电极掺杂Si层(2)上方:氧化铝间隔层(5),生长在石墨烯‑SiO2有源区表面;钛酸锶球壳结构层(6),包括周期阵列的钛酸锶球壳,并生长在间隔层(5)表面。所述的石墨烯‑SiO2有源区包括位于下方的SiO2绝缘层(3),以及生长在SiO2绝缘层(3)上的石墨烯层(4)。与现有技术相比,本发明具有大调制深度、集多种调制方法于一体等优点。
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