乐清市盐盆街道纬五路222号乐清加速器B幢203

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一种基于石墨烯的芯片散热材料的制备方法

本发明提供一种基于石墨烯的芯片散热材料的制备方法,包括步骤:提供一衬底,在所述衬底上制备水平石墨烯;将所述衬底置于反应腔中,对所述反应腔进行抽真空后通入还原气体并升温至预设温度,然后对所述衬底进行等离子体预处理;保持通入还原气体并通入生长气体,于所述水平石墨烯表面生长竖直石墨烯;停止通入生长气体,并使所述反应腔降温,再将所述水平石墨烯和竖直石墨烯转移到待散热的芯片表面。本发明利用水平石墨烯将器件工作产生的热点热量扩散至器件表面,然后利用竖直石墨烯较大的比表面积,将高功率芯片水平方向的热量通过大的比表面积扩散至周围环境中,从而加快了散热效率。本发明工艺简单,易于操作,对于制备环境要求低。

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