低温存储单元及存储器件

本发明提供一种低温存储单元及存储器件，低温存储单元包括：自旋矩转移器件，自旋矩转移器件将写电流转化为自旋极化电流，并在自旋极化电流的作用下改变磁极化方向，以实现0和1的写入存储；纳米超导量子干涉器件，纳米超导量子干涉器件的接地端与自旋矩转移器件的接地端共地连接；纳米超导量子干涉器件在自旋矩转移器件磁极化方向改变的作用下发生磁通变化，从而在读电流信号偏置下实现超导态和非超导态的互相转变，实现0和1的读出。本发明的低温存储单元可以大幅降低自旋矩转移器件的电阻，从而降低低温存储单元的存储写入的功耗，读出信号与RSFQ电路信号可以达到完全兼容。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
陈垒 | 曾俊文 | 王镇