本发明提供一种高质量晶圆级石墨烯单晶的制备方法，包括：将经等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气氛，然后升温至退火温度后再通入氢气进行退火处理，所述金属箔为铜箔、镍箔、钼箔、钴箔中的一种；向反应炉中导入碳源，调节退火温度至石墨烯单晶的生长温度后开始石墨烯单晶的生长，待生长结束后冷却至室温；所述等离子体处理的气氛为空气、氢气、氩气、氧气、氮气中的至少一种，功率为100～150W，压力为400～500Pa，时间为1～30分钟。
中国科学院上海硅酸盐研究所
黄富强 | 程园 | 毕辉
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2023年11月24日
