本发明提供一种基于MEMS技术的六合一单片集成传感器的制作方法，其包括在硅片上沉积隔离层，利用多晶硅制作牺牲层，沉积低应力氮化硅作为结构层和敏感膜片，在敏感膜片上制作敏感器件，使得XeF2气体透过敏感膜片上的腐蚀释放孔对牺牲层进行腐蚀，停止腐蚀后封堵所有的腐蚀释放孔。本发明的六合一单片集成传感器在单个硅片上集成了压力、加速度、气体、湿度、温度和麦克风传感器的功能，可以应用于复杂的场景如应急救援和公共安全等，从而提高作业效率；并且采用以上牺牲层和腐蚀的材料使得该集成传感器的成品率达到了一个较高的水平，制作成本也会较大幅度地降低，而且可与IC兼容。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
陶虎 | 李晓辉 | 秦楠
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2025年11月29日
