一种Ga2O3薄膜禁带宽度调控的工艺方法

本发明公开了一种Ga2O3薄膜禁带宽度调控的工艺方法，采用共溅射法，选择合适的掺杂剂，实现了Ga2O3薄膜禁带宽度的可控调节。将Ga2O3和作为掺杂剂的ZnO、B2O3、In2O3或Al2O3靶材分别置于射频靶位上，利用磁控共溅射的方法得到掺杂的Ga2O3薄膜，从而调控Ga2O3薄膜禁带宽度。改变Ga2O3薄膜中掺入的元素种类可控制其禁带宽度调控的方向。改变靶的溅射功率，可以控制Ga2O3薄膜中元素掺入的量，从而控制Ga2O3薄膜禁带宽度改变的大小。再将所得的Ga2O3薄膜进行退火处理，使其结构更加均匀致密。本禁带宽度调控方法操作简单、成本较低、效果显著。本发明得到的不同禁带宽度的Ga2O3薄膜，能够更好地应用在紫外探测、发光器件、太阳能电池等领域。
上海大学
王梦倩 | 王世琳 | 黄浩斐 | 邓洁 | 刘尊 | 龚恒玥 | 贺新柳 | 唐可 | 汪琳 | 王林军 | 黄健