随着功率半导体器件的发展，半导体器件的特性尺寸推动着封装尺寸变得越来越小。宽带隙半导体功率芯片碳化硅（SiC)由于其在高温大功率或者高散热应用条件下的优势得到了迅速地发展，被广泛的研究与应用于汽车电子，充电桩，无线充电等技术中。而其工作的高温条件（高于250℃)对传统封装工艺提出了极大挑战。近年来，国内外提出用金属烧结封装电子芯片的方案引起了广泛关注，烧结银膏具有低温烧结高温服役的工艺优势。无压烧结技术则可以在保证烧结互连的基础上降低了压力对芯片的应力伤害，有助于提高可靠性。同时具有银良好的导电导热及延展性的特点，满足于高温电子产品的封装需求。纳米银膏与微米银膏作为电子封装材料已得到应用，但二者在相同条件下的无压烧结连接强度及其连接机理尚需进一步研究。项目首先对纳米银膏和微米银膏样品进行了成分，热性能，粘度等基本特性分析。然后在不同的无压烧结工艺和条件下制备引线框架／银膏／硅基假片的三明治结构的连接试样，借助推拉力测试，断口光学显微观察分析，SEM/EDS截面孔隙分析，对两种银膏的无压烧结连接性能进行分析对比。同时结合计算机模拟结果对其可靠性预测。最后对两者的无压烧结机理进行分析探究和对比。
复旦大学
刘盼
