一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片

本成果属于探测器芯片技术领域，具体为一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片。本成果InGaAs探测器芯片在其磷化铟（InP）衬底之上结构依次为：InP接触层、InGaAs吸收层、氧化硅（SiO2）介质层、石墨烯层、上金属电极和下金属电极。本成果一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯的光学透过性都极好，能够增加InGaAs层材料的光吸收；此外，InGaAs材料能够吸收1.7µm至紫外波段的光，所以该InGaAs探测器能够实现紫外至近红外的宽光谱探测。
本成果提出的石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片，是在传统的InGaAs探测器基础之上进行结构和技术改进，首先利用石墨烯材料取代了InP帽层材料；其次采用异质结肖特基结构。该探测器芯片不仅能够探测传统InGaAs探测器覆盖的近红外区域，而且能够将探测波段延伸到可见和紫外波段，实现紫外、可见和近红外区域的同时探测。

复旦大学
仇志军