本发明属于半导体纳米材料技术领域，具体为一种制备硒化镉纳米线的方法。将一定量的浓度为0.5mol/L～1mol/L的氯化镉(或其他镉盐)溶液和硒粉按照摩尔比5∶4的比例，加入到高压釜中，加入乙二胺作为反应溶剂，并使反应釜的填充率达到75～80％。密闭反应釜放入180-200℃的马弗炉中，保持2～4小时。随后将反应釜自然冷却至室温，打开反应釜，将所得沉淀用水及乙醇交替洗涤2～3次。真空干燥后即得到硒化镉纳米线。本发明采用的化学材料品种少，易于保存，成本低，合成时间短，具有工业应用价值。所得硒化镉纳米线具有极大长径比，长度平均为15μm左右，直径平均为40nm。200710043461.7
复旦大学
