基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺

本发明涉及了一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺。本发光二极管包括：荧光层、n型电流扩展层、发光层、p型电流扩展层、金属反光层、p型电极焊盘、金属通孔、绝缘层、n型电极焊盘、硅基板线路层、硅基板绝缘层、硅基板、硅基板负电极、硅基板负电极金属通孔、硅基板正电极金属通孔、硅基板正电极焊盘、硅基板通孔绝缘层、芯片蓝宝石衬底。针对当前大功率LED存在的结构缺陷，提供一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺，通过刻蚀技术或者激光技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作出通孔电极、并进行共晶焊接完成封装。本发光二极管器件无需金丝键合，此技术有利于在大规模晶片级封装的开展，而且此技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且提高了LED芯片封装的可靠性。