一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法

本发明属于光电功能器件技术领域，公开了一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法，利用物理或化学镀膜方法，在衬底基片上相继镀有多层磁性金属薄膜和非磁性金属薄膜，组成复合膜结构；通过复合膜结构的设计，利用逆自旋霍尔效应产生强太赫兹辐射；同时在复合膜结构中设计铁磁钉扎层，以之取代外置磁场，从而减小太赫兹辐射器件的体积。本发明可实现太赫兹发射芯片的制备；通过控制复合膜结构中不同的材料与薄膜厚度，实现太赫兹辐射效率、带宽及偏振态的调控；本太赫兹发射芯片所辐射的电磁波频率范围为0.1THz～10THz，脉冲能量为微焦量级，完全满足太赫兹光谱和太赫兹成像的应用需求。