光电芯片及其混合集成方法

一种光电芯片及其混合集成方法，所述的光电芯片包括由下至上依次设置的硅衬底，射频芯片，二氧化硅层，BCB层，硅锗层，铌酸锂波导层及金属电极层，金属通孔走线贯穿于自射频芯片到金属电极。本发明实现了光电芯片的一体化，减少了链路损耗和串扰电平，将信号劣化到最小；同时利用二氧化硅与LN的频率温度系数相反的特性，有效的实现了温度补偿效应，提高了系统的稳定性。该系统的电极结构采用DC直电极与射频叉指电极配合的结构，有效的降低了射频反射损耗。此外，该芯片架构可采用成熟的半导体工艺技术实现，这对于光电系统走向小体积、低功耗、实用化具有重要意义。