薄膜芯片气体传感器及其制备方法

本发明涉及一种薄膜芯片气体传感器及其制备方法。本发明的芯片包括一块衬底材料，在该衬底材料的表面首先镀上底电极，再镀半导体材料薄层，再镀有无序性贵金属膜系，最后镀上点电极，将整个结构置于一个单开口的封闭的盒子，当气体通过封闭盒子，在贵金属系作为催化剂的作用下，气体在金属表面发生催化反应，放出的能量传递给金属中的电子，金属中具有高能量的电子跃迁经过金属和半导体的界面形成电流，利用检测电流信号的大小以及相对变化来实现某种气体以及含量的检测。本发明的薄膜气体传感器的最大优点是具有灵敏度高，响应快，选择性好，结构简单，寿命长等优点，并且能够针对任何气体进行设计。弥补了传统气体传感器性能不能兼顾的缺点。