一种图像传感器及其制备方法

本发明涉及图像传感器领域，尤其涉及图像传感器及其制备方法。所述制备方法，包括：在TFT像素阵列结构的工作面溅射底电极，得到底电极层；采用溶液涂布的方法，在底电极层的表面依次制备导电传输层、有机活性层和透明顶电极层后；在透明顶电极层的表面沉积封装层，得到图像传感器；导电传输层的材料为无机纳米晶材料和/或聚乙氧基乙烯亚胺；所述无机纳米晶材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种；有机活性层的材料包括聚合物半导体材料，还包括富勒烯衍生物或非富勒烯衍生物；透明顶电极层的材料为PEDOT:PSS。所述制备方法无需真空沉积系统，无需光刻图案化过程，能够实现大面积的图像传感器的制备。