一种纳米级压阻式加速度传感器及其制备方法

本发明涉及一种纳米级压阻式加速度传感器的制备方法，所述纳米级压阻式加速度传感器包括矩形外框、设于所述矩形外框中心的质量块、与所述矩形外框的边部平行的敏感梁、与所述矩形外框的边部垂直的内支撑梁、和设于所述敏感梁上的压敏电阻；制备过程中以5层SOI硅片为基础，采用电子束光刻法直接画出压敏电阻图形，从而压敏电阻的大小缩小到了纳米级范围。与现有技术相比，本发明具有传感器体积小重量轻可靠性高等优点，为更加紧凑、轻便和高性能的三轴加速度传感器。