本发明提供了一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法,先将反应物前驱体锑硫化合物、硫源、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中,所述强碱选自氢氧化钠或氢氧化钾中任意一种;在室温下搅拌至反应物溶解,然后将反应釜密封放入到180‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天,最后离心、干燥即得Cu3SbS4半导体纳米晶材料。本发明采用的原料来源广泛,使用过程中对环境无污染,制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。
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