一种Ag掺杂MnO2纳米阵列超级电容器材料及其制备方法

本发明涉及一种Ag掺杂MnO2纳米阵列超级电容器材料及其制备方法，所述的超级电容器材料包括MnO2纳米阵列和掺杂在MnO2纳米阵列中的金属Ag，所述的MnO2纳米阵列为由纳米线间隔组成的线状阵列结构；上述的超级电容器材料通过以下步骤制成：(1)往Mn(CH3COO)2溶液中滴加AgNO3溶液，并保持搅拌，反应，得到初步反应溶液；(2)将步骤(1)得到的初步反应溶液水浴加热，继续反应，得到反应产物；(3)将步骤(2)得到的反应产物过滤烘干后，退火处理，即得到目的产品。与现有技术相比，本发明具有制备方法简单，产品电化学性能优异等优点。