掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法

本发明涉及一种掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法。该掺杂改性的相变材料的组成表达式为(Sb2Se3)100-xYx，其中x是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤20，Y代表掺杂的元素，包括Ni、Cr、Bi、As、Ga、In、Ge、Si、Sn、Ag、Al、C、N或O中任一种。该掺杂改性的(Sb2Se3)100-xYx存储材料不仅保留了Sb2Se3存储材料的相变速度快、熔点低等优点，而且结晶温度得到提高，从而克服了Sb2Se3存储材料数据保持力差的缺点。包含该(Sb2Se3)100-xYx存储材料的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。