用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法

本发明提供一种用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法，其中，所述V-Sb-Te相变材料体系为在Sb-Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V100-x-ySbxTey，其中，0.5≤x/y≤4，且50≤x+y≤99.99。本发明的V-Sb-Te相变材料体系具有相变速度快和操作功耗低，并有较佳的数据保持力和相稳定性，可以极大地拓展Sb-Te相变材料体系的应用范围。同时，V元素可以极大地减小Sb-Te材料体系的晶粒尺寸，使得材料有更好的可微缩性能，这也减小了材料相变前后的体积变化率，提高了材料的抗疲劳特性。另外，V元素与Sb-Te材料体系有较好的相容性，整个材料表现为均一相。