一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法

本发明公开了一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1≦x≦0.9。可以利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料，然后在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，最后加热脱氢完成该材料的制备。本发明的微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料中，微晶Si的存在能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。同时微晶态的Si改变了相变中电流的分布，有利于降低功耗提高寿命，改善相变存储器的操作稳定性。