基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列

本发明提供一种基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列，由下至上依次包括：底电极层；阻变层，所述阻变层采用金属有机配位聚合物，所述金属有机配位聚合物具有多级氧化还原结构，在电压激励下，所述阻变层发生氧化还原反应产生阻变，所述多级氧化还原结构在HOMO能级最高的配位区域发生氧化还原反应，提高器件鲁棒性；顶电极层。本发明的忆阻器表现出高鲁棒性并在阵列中表现出高可靠性。
上海交通大学
刘钢 | 郭冰洁