一种二维化合物半导体薄膜的制备方法

本发明涉及一种二维化合物半导体薄膜的制备方法。该方法包括：绝缘衬底表面沉积金属氧化物薄膜，预退火；催化衬底表面制备单层二维层状材料连续薄膜；构建限域空间制备表面载有垂直异质结构的绝缘衬底，置于加热装置中，通入载气及反应所需前驱体，加热条件下限域空间内进行化学反应。该方法具有一定普适性，可有效解决薄膜制备过程中存在的三维生长及晶粒尺寸较小的问题，从而实现多种二维化合物半导体薄膜的大面积制备，同时单层二维层状材料连续薄膜作为封装层，可有效保证二维化合物半导体薄膜的本征性能。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
高渤翔 | 吴天如 | 朱虹延 | 张超 | 时志远