一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器

本发明涉及微纳电子技术领域，特别涉及一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器，所述OTS选通材料包括GeSe组分、As3Se4组分及掺杂元素(M)，所述OTS选通材料的化学通式为(GeSe)x(As3Se4)yMz，其中M为Ta、Si、Ge、Te、C、W、N、O、P中的一种或多种，x、y、z满足4<x<20，7<y<14，0<z<15，以及2x+7y+z＝100。本发明所提供OTS材料在外部电场作用下，当电压达到阈值电压时，材料能够实现高阻态到低阻态的瞬时转换；当撤掉外部能量时，又能够立刻由低阻态转变为高阻态。基于所述OTS材料制备的OTS选通单元具有高热稳定性、高开关速度、大开启电流、高开关比、低阈值电压、高循环寿命等优点，可用于高密度与三维海量相变存储器的制造。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
宋志棠 | 宋三年 | 薛媛 | 袁祯晖