一种双衬底三维异质集成芯片及其制备方法

本申请提供一种双衬底三维异质集成芯片及其制备方法，该双衬底三维异质集成芯片包括：第一芯片；包括第一衬底、第一有源区层、第一存储层、第一金属层、第一介电层和至少一个第一通孔；第一衬底、第一有源区层、第一存储层、第一金属层和第一介电层依次层叠连接，至少一个第一通孔设于第一介电层内部；第二芯片；包括：第二衬底、第二存储层、第二介电层和至少一个第二通孔；第二衬底、第二存储层和第二介电层依次层叠连接，至少一个第二通孔设于第二介电层内部；第一介电层和第二介电层层叠连接；导电通道；导电通道连接该双衬底三维异质集成芯片的内部和外部，导电通道为双衬底三维异质集成芯片的输入端或输出端。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
雷宇 | 宋志棠