一种三维异质集成芯片及其制备方法

本申请提供一种三维异质集成芯片及其制备方法，该芯片包括：第一芯片；第一芯片包括：第一衬底、第一有源区层、第一金属层、第一介电层和第一通孔；第一衬底、第一有源区层、第一金属层和第一介电层依次层叠连接，第一通孔设于第一介电层内部，第一通孔连接第一金属层和第一介电层外部；第二芯片，第二芯片包括第二衬底、第一存储层、第二介电层和第二通孔；第一存储层与第二衬底连接，第二介电层与第一存储层连接，第二通孔设于第二介电层内部，第二通孔连接第二存储层和第二介电层外部；第一芯片内部设有第一导电通道，第一导电通道的一端连接第一金属层，第一导电通道的另一端连接第一衬底外部，第一导电通道作为该芯片的输入端或输出端。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
宋志棠 | 雷宇 | 陈邦明