提升铁电场效应晶体管存储窗口的方法

本发明提供一种提升铁电场效应晶体管存储窗口的方法，该方法包括：通过调节铁电场效应晶体管的反铁电层与介电层的电容比例，使介电层与反铁电层的漏电水平在工作电压处相同。本发明可以减少由于介电层与反铁电层其中一侧漏电导致整体击穿的风险，有效消除由于漏电对存储窗口带来的影响，从而将铁电晶体管存储窗口提升至两倍的矫顽电场。
上海交通大学
陈丹旸 | 李秀妍 | 司梦维 | 崔天宁