一种基于Si-VO2复合波导的电光调制器

本发明公开一种基于Si‑VO2复合波导的电光调制器，其结构从下至上依次为硅衬底、二氧化硅下包层、脊形波导、二氧化硅上包层、金属电极层。其中脊形波导刻有狭槽，在凸条中填充有二氧化钒形成Si‑VO2复合波导，在两侧的平板中填充有二氧化硅用作绝缘。狭槽两侧的P型和N型轻掺杂区构成了PN结，金属电极与平板两侧重掺杂区相连。本发明的基本原理是利用二氧化钒在电场作用下发生相变引起折射率的变化，从而实现调制。该电光调制器结构简单、调制消光比高、插入损耗低，同时利用倾斜的二氧化钒狭槽结构可以增加作用长度同时有效减弱反射光强度，在光通信及集成光电子领域中具有广泛的应用前景。
上海交通大学
周林杰 | 孙照印 | 陆梁军 | 张涵予 | 陈建平