本发明涉及一种突变式温度敏感元器件及其制备方法。所述突变式温度敏感元器件的基本结构包括:第一透明电极层、以及依次形成在第一透明电极层表面的电子阻隔层、VO2温度敏感层、电解质层和第二透明电极层。
中国科学院上海硅酸盐研究所
曹逊 | 季晓炜 | 金平实 | 黄爱彬
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