一种SiC MOSFET的驱动方法

本发明公开了一种SiC MOSFET的驱动方法，属于电力电子技术领域。该驱动方法包括：输入信号输入调制解调电路，实现电路的电气隔离，产生控制信号；控制信号输入逻辑控制电路，与短路保护电路输出的故障信号进行逻辑组合，生成驱动信号；逻辑控制电路的输出信号和SiC MOSFET的漏极输出信号输入短路保护电路，输出故障信号给逻辑控制电路；驱动信号输入功率放大电路，输出增强的驱动信号；增强驱动信号输入米勒钳位电路，对SiC MOSFET的桥臂电路开通关断产生的串扰尖峰进行抑制。本发明能够对串扰现象进行有效抑制，并且可以在突发的短路现象情况下对SiC MOSFET进行有效保护。
上海海事大学
姚志垒 | 沙琪园