乐清市盐盆街道纬五路222号乐清加速器B幢203

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异质键合结构及制备方法

本发明提供一种异质键合结构及制备方法,通过对异质衬底进行离子注入与退火,在异质衬底中形成结构松散层,以容纳亲水性键合过程中界面处产生的水汽,以及离子束剥离与转移工艺中键合界面处的离子和气体分子,解决了亲水性键合过程中键合界面处水汽聚集引起的起泡问题和利用离子束剥离与转移技术进行半导体材料异质集成时注入离子聚集在键合界面处引起的电场拥簇和起泡的问题,优化了异质键合工艺,提高了异质衬底与键合材料的界面质量,以及利用该异质键合结构制成的器件的可靠性,对由异质键合结构制成的器件的发展意义重大。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
欧欣 | 瞿振宇 | 游天桂 | 徐文慧

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