一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法

本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法，所述方法是首先在锗衬底表面沉积Ni1-xTix合金层，其中的0.1≤x≤0.6；然后进行快速退火处理：以30～50℃/秒的升温速率升温至300～500℃，保温20～120秒后，在115～200秒时间内冷却至室温；采用化学腐蚀法选择性去除最外层：NiTiGe混合合金层，即得到位于锗衬底表面的外延NiGe材料。本发明方法具有工艺简单，易于工业化实施优点，所生成的NiGe材料连续、均一、平整，可满足作为晶体管器件接触材料的应用要求，并有利于提高晶体管器件的电性能。