一种制作NiGeSn材料的方法

本发明公开了一种制作NiGeSn材料的方法，所述方法是首先提供Ge1-xSnx层材料做为初始衬底，再在Ge1-xSnx层表面生长金属插入层，接着在金属插入层表面生长Ni金属层；然后进行快速退火处理：以25～75℃/秒的升温速率升温至300～600℃，保温20～120秒后，在100～200秒时间内冷却至室温，最后采用化学腐蚀法去除金属插入层和未反应的金属Ni，即得到NiGeSn材料。本发明方法具有工艺简单，易于工业化实施等优点；所生成的NiGeSn材料连续、均一、平整，可满足作为晶体管器件接触材料的应用要求，并有利于提高晶体管器件的电性能。