一种适用于铜钴互连结构的化学机械抛光液及其制备方法

本发明公开了一种适用于铜钴互连结构的化学机械抛光液及其制备方法，其中，所述抛光液按照质量分数计，包括研磨颗粒0.1‑10％，氧化剂0.01‑3％，络合剂0.1‑5％和抑制剂0.01‑1.0％，余量为去离子水；其中抑制剂为松香酸及其盐，优选歧化松香酸及其盐，有效抑制铜和钴的静态腐蚀，所述抛光液的pH为8‑11。本发明抛光液中添加了松香酸及其盐的抑制剂，在保持铜较高抛光速率的同时能抑制铜的晶态腐蚀，有效提高抛光后的表面质量。同时，该抛光液对钴的静态腐蚀和去除速率都极低，可以满足互连结构第一步抛光过程中高选择比的要求。
上海交通大学
杭弢 | 黄钰林 | 常鹏飞