一种基于π结的磁通存储器件及制备方法

本发明提供一种基于π结的磁通存储器件及制备方法。该基于π结的磁通存储器件的制备包括：提供衬底，形成在水平方向上间隔设置的第一类约瑟夫森结与第二类约瑟夫森结，形成隔离层及配线层，配线层的第一配线部与第一类约瑟夫森结顶电极电连接，配线层的第二配线部与第二类约瑟夫森结顶电极电连接，基于第一类约瑟夫森结形成存储环路，基于第二类约瑟夫森结形成读出电路。其中，第一类约瑟夫森结采用铁磁势垒层，由于铁磁材料的强交换作用，在一定的铁磁厚度下可实现π相位的偏移而形成π结，π结代替传统的0结将会产生0.5Φ0的磁通，从而把回滞区拉回到0偏置电流处，降低对电感的需求，缩短器件的尺寸，同时减小偏置电流降低静态功耗。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
曾俊文 | 陈垒 | 钟翔海 | 王镇