存储单元、低温存储器及其读写方法

本发明提供一种存储单元、低温存储器及其读写方法，包括：并联设置于超导上电极与超导下电极之间的磁性存储器件、第一及第二超导器件，磁性存储器件位于第一、第二超导器件之间；磁性存储器件的自旋流产生层在厚度及宽度方向上贯穿超导下电极(或超导上电极)，且该自旋流产生层上表面(或下表面)近邻自由层。多个存储单元排列形成阵列，相邻两个存储单元的超导上电极或超导下电极相连，以实现各行或各列存储单元的串联，超导上电极与超导下电极作为超导位线；各超导器件的上方或下方对应设置一超导字线。本发明将SOT‑MRAM存储单元完全嵌入超导集成逻辑电路组成低温磁存储器，以实现信息在极限低温、高速、低功耗存储，适用于超导计算机的缓存和主存。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
郎莉莉 | 叶力