用于相变存储器的Si-Sb-Te材料
本发明揭示了一种用于相变存储器的Si-Sb-Te相变材料，其化学式为SixSb2Te3，0
2023年11月24日
一种基于石墨烯的芯片散热材料的制备方法
本发明提供一种基于石墨烯的芯片散热材料的制备方法，包括步骤：提供一衬底，在所述衬底上制备水平石墨烯；将所述衬底 …
一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用
本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子 …
一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法
本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层 …
减小相变存储器加热电极面积的方法
本发明涉及一种减小相变存储器加热电极的方法，首先通过微纳加工技术或亚微米CMOS标准工艺，在SiO2衬底上制备 …
双光束超分辨光存储材料读写装置和读写方法
一种双光束超分辨光存储材料读写装置包括光路和计算机，所述的光路由记录光路、读出光路和荧光收集光路组成，以及读写 …
导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元
本发明提供一种导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元，该相变存储器单元包括位于底电极与硫系化合物薄膜层之 …
一种制备无褶皱的石墨烯的方法
本发明提供一种制备无褶皱的石墨烯的方法，包括以下步骤：S1：提供一催化基底，在所述催化基底表面预设区域进行离子 …
一种调控二维材料光学非线性效应的方法
本发明公开了一种调控二维材料光学非线性效应的方法，其包括步骤：提供一种二维材料；在所述二维材料上沉积金属层，通 …
钙钛矿材料粉体的制备方法
一种钙钛矿材料粉体的制备方法，该方法主要步骤为：取组分1与组分2材料进行混合，溶解于良溶剂A，充分搅拌后过滤， …
一种提高薄膜态材料非线性光学系数测量精度的方法
本发明公开了一种提高薄膜态材料非线性光学系数测量精度的方法，通过选用厚度超薄、非线性光学系数超低的材料作为薄膜 …
用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法
本发明提供一种用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法，其中，所述V-Sb-Te相变材料体系为在 …