可逆相变材料电性能的表征方法
本发明涉及制备相变存储器(PRAM)所用的相变材料电性能表征的方法,其特征为:通过探针与W/SiO2/Si衬底 …
本发明涉及制备相变存储器(PRAM)所用的相变材料电性能表征的方法,其特征为:通过探针与W/SiO2/Si衬底 …
本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法;所述的加热电极材料为至少含Ge元素的加热电极材料,通式为G …
本发明涉及一种掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法。该掺杂改性的相变材料的组成表达式为(S …
本发明涉及一种一维紫外到可见光波段光子晶体的材料及制备方法,属于光电子技术领域。其特征在于以石英作衬底,利用超 …
本发明涉及一种束源炉断电或误操作用的保护系统、构建方法及应用,包括在多种可能的断电或误操作状态下对各种型号规格 …
本发明公开了一种用于金属SLM成型的装置和方法。所述方法中通过打印时提供一较大光斑的均匀激光结合一具有较小光斑 …
本发明涉及一种复合光电材料,具体涉及一种层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用,包括如下步骤:S1 …
本发明涉及一种玻璃纤维负载铜锰催化剂复合材料、制备方法及其应用,该材料包括波纹状玻璃纤维和纳米材料CuO以及纳 …
本发明公开了一种气固相光电芬顿降解NO的C3N4Fe(1‑x)S不锈钢电极复合材料制备方法,包括:将不锈钢网密 …
本发明涉及一种电子束辐照改性高分子膜材料的方法,具体为,将高分子膜充分浸泡于改性剂与助剂的水溶液中,之后将膜材 …
本发明涉及一种三维修饰的高分子滤膜材料及其制备方法和应用,制备时,将高分子滤膜充分浸泡于改性剂的水溶液中,之后 …
本发明涉及一种GMDH神经网络的晶圆CMP材料去除率预测方法,其步骤如下:(1)获取去除异常值后的抛光样本数据 …