本发明公开了一种快速微机电磁通门芯片制造方法,涉及MEMS集成微制造领域,该方法包括:溅射导电薄膜;旋涂光刻胶,曝光、显影;电镀激励线圈和感应线圈的底层线圈和连接导体;去光刻胶和导电膜;旋涂聚酰亚胺、固化;旋涂光刻胶、曝光、显影,刻蚀聚酰亚胺薄膜制造磁芯放置凹槽,将预制磁芯置于凹槽底部,凹槽内滴入聚酰亚胺胶覆盖磁芯并填满凹槽,固化;旋涂光刻胶、曝光、显影,刻蚀聚酰亚胺绝缘薄膜至连接导体顶部露出;溅射导电薄膜;旋涂光刻胶、曝光、显影;电镀激励线圈和感应线圈的顶层线圈以及电极;去光刻胶和导电薄膜。本发明简化了微机电磁通门芯片制造工艺流程,降低了微机电磁通门芯片成本,兼容大规模集成电路工艺,可集成制造。
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